PD -2.464 rev. B 01/99
? Reduced RFI and EMI
? Reduced Snubbing
? Extensive Characterization of
Recovery Parameters
Features
Description
HEXFRED
TM
diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in high frequency
power conditioning systems. An extensive characterization of the recovery
behavior for different values of current, temperature and di/dt simplifies the
calculations of losses in the operating conditions. The softness of the recovery
eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally
suited for power converters, motors drives and other applications where
switching losses are significant portion of the total losses.
Ultrafast, Soft Recovery Diode
HEXFRED
TM
HFA70NC60C
Absolute Maximum Ratings (per Leg)
Note:
Limited by junction temperature
?
L = 100μH, duty cycle limited by max T
J
?
125°C
W
°C/W
K/W
Thermal - Mechanical Characteristics
35 (4.0) –––– 50 (5.7)
D-61-8
Parameter
Max. Units
VR
Cathode-to-Anode Voltage 600 V
IF
@ T
C
= 25°C Continuous Forward Current 56
IF
@ T
C
= 100°C Continuous Forward Current 27 A
IFSM
Single Pulse Forward Current
200
EAS
Non-Repetitive Avalanche Energy ?
220 μJ
PD
@ T
C
= 25°C Maximum Power Dissipation 150
PD
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation 59
TJ
Operating Junction and
TSTG
Storage Temperature Range
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
RthJC
Junction-to-Case, Single Leg Conducting –––– –––– 0.85
Junction-to-Case, Both Legs Conducting –––– –––– 0.42
RthCS
Case-to-Sink, Flat , Greased Surface –––– 0.30 ––––
Wt Weight
–––– 7.8 (0.28) –––– g
(oz)
Mounting Torque
lbf?in
(N?m)
VR
= 600V
VF(typ.)?
= 1.2V
IF(AV)
= 70A
Qrr
(typ.) = 210nC
IRRM(typ.)= 6A
trr(typ.)= 30ns
di(rec)M/dt (typ.)?
= 180A/μs
-55 to +150 °C
1
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